【目的】 超薄无缺陷MOF膜的制备存在着巨大挑战。控制MOF膜的生长取向，有利于减少晶间缺陷并优化成膜厚度。【方法】 首次采取聚多巴胺(PDA)中间层介导策略，在多孔基底上制备了具有一定取向的超薄UTSA-280 MOF膜。PDA层通过与金属离子的多重相互作用为UTSA-280提供了丰富的吸附、锚定位点，促进UTSA-280异相成核和生长。进一步通过改变PDA层的沉积量，可以调控成核密度和生长速率，从而调控MOF晶体的生长取向和厚度。【结果】 最优化条件下制备的晶面(202)取向生长的UTSA-280 MOF膜厚为162 nm，其H2渗透速率可达4 141.8 GPU，H2/CO2分离选择性最高达18.5，远超2008年Robeson上限。