您当前的位置： 首页 > 论文 > 2023,54(04) > 化学工程与技术·材料科学与工程
基金项目:
国家自然科学基金青年基金资助项目(52005363)
分类号:
TB383
DOI:
10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2023.04.009
期刊号:
2023,54(04)
收稿日期:
修回日期:
| 通讯作者 | 单位 |
| 李刚 | 太原理工大学 材料科学与工程学院, 能源革命创新研究院 |
摘要:
【目的】 以过渡金属氧化物、硫化物、氢氧化物为代表的赝电容材料由于其良好的比电容容值、高功率密度和低成本等优势，被广泛用于宏观常规超级电容器的电极中。然而，当前对于过渡金属电极的研究多采用非常温下合成，辅以导电剂、粘合剂固定的加工工艺，制约了其在以硅基底为主的微型超级电容器(micro-supercapacitor，MSC)中的应用。【方法】 在硅基底上沉积了钛集流体和铜薄膜，通过兼容微加工工艺的常温原位氧化法制备了氢氧化铜纳米线，并进一步通过浸泡硫化钠溶液实现了原位硫化。【结论】 测试结果表明，在1 mA/cm2的电流密度下，硅基底硫化铜的比电容为166.98 mF/cm2，较氢氧化铜电极提升了6.68倍，500次充放电循环后电容保持率为74.2%，展现了其在硅基微型超级电容器方面广阔的应用前景。
关键字:
硫化铜；氢氧化铜；硅基底；超级电容器；储能特性