您当前的位置： 首页 > 论文 > 2020,51(06) > 化学与化学工程·材料科学与工程
基金项目:
国家自然科学基金资助项目(51672185);山西省自然科学基金资助项目(201801D121101)
分类号:
TQ133.53
DOI:
10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2020.06.002
期刊号:
2020,51(06)
收稿日期:
修回日期:
摘要:
实验以升华温度较低的三氯化铟(InCl3)为铟源,通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置扩大了Ⅲ、Ⅴ族源共混生长区域,实现了InN在Si(111)衬底上的生长。探讨了生长温度与氨气流量对InN结构和形貌的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对InN的晶体结构、形貌和元素组成进行表征。分析结果表明:固定NH3流量,随着生长温度的升高,InN形貌由分离的薄片状转变为交织的圆饼状,其中非极性(100)晶面取向性增强,晶体质量得到改善;保持生长温度恒定,增加氨气流量,InN形态由圆饼状转变为垂直的柱状,晶体取向从由非极性面(100)为主向极性(002)面为主的趋势转变。本实验研究对InN纳米材料的可控生长具有指导作用。
关键字:
InN;InCl3;HCVD;取向;XRD;