利用电子显微术，围绕与低维薄膜半导体材料性能关系密切的“界面”关键科学与工程问题，针对影响高功率、高光效GaAs、GaN基激光二极管（LD）、发光二极管（LED）功率低、光效低的关键科学与工程问题展开研究。依据外延材料特性及其界面结构，设计高性能GaAs、GaN基LD、LED外延及芯片结构；研发高功率LD和高光效LED外延材料可控制备技术；开发高功率LD和高光效LED光源、加工设备、装备等系列产品。