个人简历

贾伟，男，1983年6月，山西省新绛县，高级实验师，工学博士，硕导。2000/09-2004/06，太原理工大学，材料物理专业，本科学习；2004/09-2007/06，太原理工大学，材料加工工程专业，硕士研究生；2008/09 - 20013/06，太原理工大学，材料科学与工程专业，博士研究生；2007/12至今，太原理工大学，新材料界面科学与工程教育部重点实验室工作。主要研究工作为半导体光电材料制备与性能研究，共发表SCI论文10余篇，授权中国发明专利7项。主持完成国家自然科学基金1项，其它省部级科研项目2项，横向项目1项。

研究方向

纳米半导体光电材料

学术兼职

中国电镜学会会员，国家半导体照明工程研发及产业联盟会员。

教学及指导学生

主讲过《光学》、《原子物理》、《大学物理》等本科生课程；指导硕士研究生7名。

承担项目（限列5项）

1.国家自然科学基金青年基金，61604104，硅烷对氮化镓棒状阵列自组装生长及光电性能的影响，2017/1-2019/12，19万元，结题，主持。

2.山西省自然科学基金青年基金，201601D202029，Si原子掺杂气氛下GaN棒状结构的自组装生长机理及光电性能，2016/12-2018/12，2万元，结题，主持。

3.云谷（固安）科技有限公司横向项目，三维GaN外延柱Micro-LED微显示技术开发，2018/4-2018/12，15万元，结题，主持。

4.国家自然科学基金面上项目，21471111，界面原子行为对三维GaN基结构生长和光电性能的影响，2015/01-2018/12，80万元，结题，参加。

5.山西省重点研发计划项目，201903D111009，p型碳化硅单晶衬底研发，2019/12-2022/12，150万元，在研，参加

代表性论文（专著、教材）（限列5篇）

1.Guangyun Tong,Wei Jia*, Teng Fan, Hailiang Dong, Tianbao Li, Zhigang Jia and Bingshe Xu. Growth and optical properties of GaN pyramids using in-situ deposited SiNx layer [J]. Materials Letters, 2018, 224, 86–88.

2.Teng Fan,Wei Jia*, Guangyun Tong, Guangmei Zhai, Tianbao Li, Hailiang Dong, and Bingshe Xu. Influence of in-situ deposited SiNx interlayer on crystal quality of GaN epitaxial films [J]. Superlattices & Microstructures, 2018, 117, 57-64.

3.仝广运,贾伟*,樊腾,董海亮,李天保,贾志刚,许并社.类金字塔状GaN微米锥的形貌及发光性能,发光学报, 2019, 40(01): 23-29.

4.赵晨,贾伟,樊腾,仝广运,李天保,翟光美,马淑芳,许并社.类金字塔状GaN微米结构的生长及其形貌表征,材料导报, 2017, (22): 21-25.

5.半导体化合物光电器件制备，化学工业出版社，参编两章，2013.05.

代表性专利（限列5项）

1.贾伟,樊腾,李天保,董海亮,许并社.一种高质量GaN薄膜及其制备方法, 2019-07-16,中国, ZL201810218544.3.

2.贾伟,仝广运,樊腾,李天保,余春燕,许并社.基于GaN六棱锥阵列的LED外延结构及其制备方法, 2018-12-25,中国, ZL 201710371893.4.

3.贾伟,樊腾,仝广运,李天保,翟光美,许并社.一种LED外延结构及其制备方法, 2018-11-02,中国, ZL201710371894.9.

4.贾伟,樊腾,李天保,许并社,李学敏,卢太平,梅伏洪.一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法, 2018-05-15,中国, Z L 201610592848.7.

5.贾伟,翟光美,党随虎,许并社,李天保.一种InGaN/AlGaN-GaN基多量子阱结构及其制备方法, 2016-08-31,中国, ZL201410471184.X.

科研获奖

1.贾伟，高功率半导体激光器外延材料及器件界面工程调控技术，山西省科学技术发明奖，三等奖，2015，（马淑芳，王智勇，贾志刚，贾伟，曹银花，董海亮）。

联系方式

电话：13994271921 QQ：64561894 Email: jiawei@tyut.edu.cn